کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8180049 | 1526420 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relationship between high resistivity and the deep level defects in CZT:In
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We explain the high resistivity performance for a CZT:In crystal. ⺠Fermi level is pinned near the mid-gap of SI-CZT:In. ⺠Deep donor level EDD can stabilize the Fermi level deep near the mid-gap. ⺠Origin of EDD level is assigned to TeCd2+ below the conduction band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 705, 21 March 2013, Pages 32-35
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 705, 21 March 2013, Pages 32-35
نویسندگان
Ruihua Nan, Wanqi Jie, Gangqiang Zha, Hui Yu,