کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8180049 1526420 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relationship between high resistivity and the deep level defects in CZT:In
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Relationship between high resistivity and the deep level defects in CZT:In
چکیده انگلیسی
► We explain the high resistivity performance for a CZT:In crystal. ► Fermi level is pinned near the mid-gap of SI-CZT:In. ► Deep donor level EDD can stabilize the Fermi level deep near the mid-gap. ► Origin of EDD level is assigned to TeCd2+ below the conduction band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 705, 21 March 2013, Pages 32-35
نویسندگان
, , , ,