کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8181748 | 1526451 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterisation of a Thin Fully Depleted SOI Pixel Sensor with Soft X-ray Radiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents the results of the characterisation of a back-illuminated pixel sensor manufactured in Silicon-on-Insulator technology on a high-resistivity substrate with soft X-rays. The sensor is thinned and a low energy phosphorus implantation is performed on the back-plane. The response to X-rays from 2.12 to 8.6Â keV is evaluated with fluorescence radiation at the LBNL Advanced Light Source.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 674, 11 May 2012, Pages 51-54
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 674, 11 May 2012, Pages 51-54
نویسندگان
Marco Battaglia, Dario Bisello, Richard Celestre, Devis Contarato, Peter Denes, Serena Mattiazzo, Craig Tindall,