کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8249675 | 1533373 | 2018 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
6MV LINAC characterization of a MOSFET dosimeter fabricated in a CMOS process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
تشعشع
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents the characterization of a thick gate oxide MOSFET for radiotherapy in-vivo dosimetry. The device is an N-channel transistor fabricated in a standard CMOS process using the Field Oxide as gate insulator. Sensitivity, fading, gate bias voltage dependence, percentage depth dose and angular response were assessed using a 6â¯MV LINAC. Experimental results showed that it is possible to estimate dose with a 3% uncertainty in a range up to 85â¯Gy with an average sensitivity of 62â¯mV/Gy. The measurement system noise equivalent dose is 3â¯mGy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Radiation Measurements - Volume 117, October 2018, Pages 63-69
Journal: Radiation Measurements - Volume 117, October 2018, Pages 63-69
نویسندگان
M. Garcia-Inza, M. Cassani, S. Carbonetto, M. Casal, E. RedÃn, A. Faigón,