کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
843121 | 1470525 | 2010 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quasi-neutral limit to the drift–diffusion models for semiconductors with physical contact-insulating boundary conditions and the general sign-changing doping profile
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The quasi-neutral limit in a bipolar drift–diffusion model for semiconductors with physical contact-insulating boundary conditions, the general sign-changing doping profile and general initial data which allow the presence of the left and right boundary layers and the initial layers is studied in the one-dimensional case. The dynamic structure stability of the solution with respect to the scaled Debye length is proven by the asymptotic analysis of singular perturbation and the entropy-energy method. The key point of the proof is to use sufficiently the fact that the ‘length’ of the boundary layer is very small in a short time period.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nonlinear Analysis: Theory, Methods & Applications - Volume 72, Issues 9–10, 1 May 2010, Pages 3612–3626
Journal: Nonlinear Analysis: Theory, Methods & Applications - Volume 72, Issues 9–10, 1 May 2010, Pages 3612–3626
نویسندگان
Shu Wang, Ke Wang,