کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
846250 | 909179 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The leveling of mask and wafer in proximity nanolithography using fringe pattern phase analysis
ترجمه فارسی عنوان
سطح مقطع ماسک و ویفر در نزدیکی نانولیتوگرافی با استفاده از تجزیه و تحلیل فاز الگو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانولیتوگرافی، سطح بندی، تجزیه و تحلیل الگو، استخراج فاز
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
چکیده انگلیسی
The fringe pattern phase analysis method is proposed for the leveling of mask and wafer in proximity lithography. The tilt between mask and wafer in the space is reflected in the tilted fringe pattern. The method combining the 2-D Fourier transform and 2-D Hanning window is proposed for processing the tilted fringe pattern. The offset and angle of tilt are extracted through phase analysis. Computer simulation and experiment are both performed to verify this method. The results indicate that the tilt of the mask and wafer in the space can be extracted with high accuracy through this method.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 125, Issue 13, July 2014, Pages 3176–3180
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 125, Issue 13, July 2014, Pages 3176–3180
نویسندگان
Feng Xu, Shaolin Zhou, Song Hu,