کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
846389 | 909192 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of InAs/(In)GaAs quantum dots with different areal density
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of InAs/(In)GaAs quantum dots (QDs) with different areal density were investigated by photoluminescence (PL) measurement. The annealing results in PL peak energy blue-shift which strongly depends on QD areal density and capping layer. It is noticeable that low-density QDs and/or InGaAs-capped QDs are more sensitive to the annealing. We attribute the larger energy blue-shift from these samples to enhanced strain-driven diffusion and/or defect-assisted diffusion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 125, Issue 4, February 2014, Pages 1598–1601
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 125, Issue 4, February 2014, Pages 1598–1601
نویسندگان
Zhan-Guo Li, Ming-hui You, Guo-Jun Liu, Xin Gao, Lin Li, Yong Wang, Lian-He Li,