کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
847667 909231 2016 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of UV radiation surface damage on silicon position sensitive photodetector
ترجمه فارسی عنوان
اثر آسیب سطح اشعه UV بر حسگر فوتوالکتریک موقعیت سیلیکون
کلمات کلیدی
تابش UV؛ خطای تشخیص موقعیت آشکارساز حساس موقعیت دو طرفه
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی (عمومی)
چکیده انگلیسی

As a result of the ever increasing energetic UV radiation doses and the need for more radiation hard devices, damage and degradation testing of optical sensors have become very imperative. In this report, results describing the effect of prolonged UV beam irradiation on the performance of a p+n duo-lateral position sensitive detector (lPSD) are reported. The results include the use of a simple method to visualize in 3-dimensional graphs, the effect of radiation damage on the lPSD sensitivity and position detection deviation over the entire active area. The results also show that the ionization damage effects at the Silicon-Silicon oxide interface result in decrease in sensitivity, increase in position detection deviation, and increase in leakage and shot noise current.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 127, Issue 2, January 2016, Pages 599–602
نویسندگان
,