کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
850717 | 909289 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of optical gain in AlxGa1−xN/GaN/AlxGa1−xN strained quantum well laser
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper the optical gain in wurtzite AlGaN/GaN quantum well is studied. The effects of temperature, carrier concentration, quantum well width, and barrier width are analyzed theoretically taken into account the strong built-in electric field effect due to the piezoelectric and spontaneous polarization in the nitride materials. The numerical results clearly show that the increasing of carrier concentration, and decreasing of temperature and well widths, the optical gain increases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 123, Issue 17, September 2012, Pages 1546–1549
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 123, Issue 17, September 2012, Pages 1546–1549
نویسندگان
A. Asgari, S. Dashti,