کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
858146 | 1470739 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Twofold SiOx Films Deposited by HFCVD: Its Optical, Compositional and Electrical Properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Twofold non-stoichiometric silicon oxide (SiOx) films before and after of a thermal annealing are characterized by different techniques. The twofold SiOx films are obtained by hot filament chemical vapor deposition technique in the range of temperatures from 900 °C to 1150 °C. An important result is the optical energy band gap, which decreases as the growth temperature (Tg) increases from 2.15 to 1.8 eV. The absorption and emission properties are correlated with quantum effects in Si-nc and defects.The twofold SiOx films exhibit compositional changes with the variation of Tg and a restructuration (phase separation) take place with the thermal annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Procedia Engineering - Volume 87, 2014, Pages 168-171
Journal: Procedia Engineering - Volume 87, 2014, Pages 168-171