کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9566720 | 1388367 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of cubic phase MgZnO/Si(1Â 0Â 0) interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The microstructural properties of the MgxZn1âxO/Si(1Â 0Â 0) interface were investigated using transmission electron microscopy (TEM) and chemical states of the heterostructure were studied by high resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). By analyzing the valence band spectra of thin MgxZn1âxO/Si(1Â 0Â 0) heterostructures, the valence band offset between such Mg0.55Zn0.45O and Si(1Â 0Â 0) was obtained to be 2.3Â eV. Using the cubic ternary thin films as insulators, metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors have been fabricated. Leakage current density lower than 3Â ÃÂ 10â7Â A/cm2 is obtained under the electrical field of 600Â kV/cm by current-voltage (I-V) measurement. Frenkel-Poole conduction mechanism is the main cause of current leakage under high electrical field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 4, 15 November 2005, Pages 1147-1152
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 4, 15 November 2005, Pages 1147-1152
نویسندگان
J. Liang, H.Z. Wu, Y.F. Lao, N.B. Chen, P. Yu, T.N. Xu,