کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9566913 | 1503709 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoexcitation-induced processes in amorphous semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Theories for the mechanism of photo-induced processes of photodarkening (PD), volume expansion (VE) in amorphous chalcogenides are presented. Rates of spontaneous emission of photons by radiative recombination of excitons in amorphous semiconductors are also calculated and applied to study the excitonic photoluminescence in a-Si:H. Results are compared with previous theories.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 248, Issues 1â4, 30 July 2005, Pages 50-55
Journal: Applied Surface Science - Volume 248, Issues 1â4, 30 July 2005, Pages 50-55
نویسندگان
Jai Singh,