کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567318 | 1503713 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of pores in Ge single crystal by laser radiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Formation of pores in Ge single crystal by laser radiation Formation of pores in Ge single crystal by laser radiation](/preview/png/9567318.png)
چکیده انگلیسی
Formation of a porous structure on the surface of Ge single crystals by pulsed YAG:Nd laser irradiation at the intensity of â¼25Â MW/cm2 is reported. An increase of surface recombination velocity on the irradiated surface by a factor of 100 is observed and explained by increase of the geometric area of the surface due to formation of pores. The latter is attributed to inhomogeneous pressure of a pulsed laser beam on the melting irradiated surface of the crystal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 203-208
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 203-208
نویسندگان
A. Medvid', A. Mychko, A. Krivich, P. Onufrijevs,