کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567509 | 1503718 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of Ti-nanowires in sapphire single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report electrical conductivity of Ti-nanowires in sapphire fabricated by utilizing lattice dislocations. We evaporated metallic Ti on a sapphire plate containing high density of uniaxial dislocations, and annealed the plate at high temperatures. As a result, it was found that Ti atoms intensely segregated along the dislocations within about 5Â nm in diameter, indicating the formation of Ti-nanowires inside sapphire. Furthermore, the nanowires were confirmed to have significant electrical conductivity even in sapphire insulator.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 241, Issues 1â2, 28 February 2005, Pages 38-42
Journal: Applied Surface Science - Volume 241, Issues 1â2, 28 February 2005, Pages 38-42
نویسندگان
Atsutomo Nakamura, Katsuyuki Matsunaga, Takahisa Yamamoto, Yuichi Ikuhara,