کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9577882 | 1505201 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystalline/amorphous Raman markers of hole-transport material NPD in organic light-emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Raman marker bands characteristic of solid-state structure have been found for N,Nâ²-di-1-naphthaleyl-N,Nâ²-diphenyl-1,1â²-biphenyl-4,4â²-diamine (NPD), which is used as a hole-transport material in organic light-emitting diodes. The widths of the marker bands observed for an amorphous state at 1607, 1290, and 1192Â cmâ1 are broader than those for the crystalline state observed at 1609, 1288, and 1198Â cmâ1. These Raman bands are found to be useful for detecting the crystallization, which may cause degradation of organic light emitting diodes, of amorphous NPD films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 405, Issues 4â6, 12 April 2005, Pages 330-333
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 405, Issues 4â6, 12 April 2005, Pages 330-333
نویسندگان
Takuro Sugiyama, Yukio Furukawa, Hidetoshi Fujimura,