کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594500 | 1507964 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface bismuth removal after Bi nanoline encapsulation in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
It is shown by RHEED observation that the thermal desorption is not suitable for this purpose, because the one-dimensional structure of the buried Bi line is disrupted over the same time scale as for removal of the surfactant Bi. Chemical wet etching of the surface layer was found to be a better solution to the removal of the surfactant Bi atoms without destroying the buried Bi lines.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 595, Issues 1â3, 5 December 2005, Pages L311-L317
Journal: Surface Science - Volume 595, Issues 1â3, 5 December 2005, Pages L311-L317
نویسندگان
Shuhei Yagi, Wataru Yashiro, Kunihiro Sakamoto, Kazushi Miki,