کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594582 | 1507968 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy scaling and surface patterning of halogen-terminated Si(0Â 0Â 1) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We show that steric repulsion energies between halogen dimers on a passivated Si(0Â 0Â 1) surface scale with square of the principle quantum number (or period) n of the halogen, and arise principally from bonding with Si substrate. We exemplify the scaling from previously calculated steric interactions of F, Cl, and Br, predict the interactions for I and At, and then verify the prediction by direct density-functional calculations. From the energetics, we explain the patterning of the halogen-terminated Si(0Â 0Â 1), for a better understanding of the halogen-roughening process, and predict a crossover to a new vacancy-line defect for large halogens.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 591, Issues 1â3, 20 October 2005, Pages L292-L298
Journal: Surface Science - Volume 591, Issues 1â3, 20 October 2005, Pages L292-L298
نویسندگان
N.A. Zarkevich, D.D. Johnson,