کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594585 | 1507968 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomistic modeling of step formation and step bunching at the Ge(1Â 0Â 5) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomistic modeling of step formation and step bunching at the Ge(1Â 0Â 5) surface Atomistic modeling of step formation and step bunching at the Ge(1Â 0Â 5) surface](/preview/png/9594585.png)
چکیده انگلیسی
We investigate possible step geometries on the rebonded-step reconstructed Ge(1Â 0Â 5) surface. We focus our attention on steps oriented along the [0Â 1Â 0] direction, which have been shown to play a key role in the pyramid-to-dome transition during Ge growth on Si(0Â 0Â 1). Using molecular dynamics simulations based on the Tersoff potential, we evaluate the step formation energy for several alternative structures. The step-bunching process is also analyzed, showing that one monolayer-high steps are likely to group into multistepped structures. Our results provide support for very recent experiments and modeling on the pyramid-to-dome transition in Ge/Si(0Â 0Â 1).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 591, Issues 1â3, 20 October 2005, Pages 23-31
Journal: Surface Science - Volume 591, Issues 1â3, 20 October 2005, Pages 23-31
نویسندگان
S. Cereda, F. Montalenti, Leo Miglio,