کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594631 | 1395887 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermodynamic control of germanium quantum dot growth on silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Strained epitaxial growth of Ge on Si(0Â 0Â 1) produces self-assembled, nanometer scale islands, or quantum dots. We study this growth by atomistic simulation, computing the energy of island structures to determine when and how islanding occurs. The distribution of island sizes on a surface is determined by the relation of island energy to size. Applying the calculated energy per atom to the Boltzmann-Gibbs distribution, we predict size distributions as functions of coverage and temperature. The peak populations around 86,000 atoms (35Â nm wide) compare favorably with experiment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 590, Issue 1, 20 September 2005, Pages 1-8
Journal: Surface Science - Volume 590, Issue 1, 20 September 2005, Pages 1-8
نویسندگان
Richard J. Wagner, Erdogan Gulari,