کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594648 | 1395891 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect-induced dimer pinning on the Si(0Â 0Â 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Surface relaxation and reconstruction - آرامسازی و بازسازی سطحAb initio quantum chemical methods and calculations - روش های اولیه و روش های شیمیایی کوانتومی و محاسباتsilicon - سیلیسیم Monte-Carlo simulations - شبیه سازی مونت کارلوIsing models - مدل های IsingScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Defect-induced dimer pinning on the Si(0Â 0Â 1) surface Defect-induced dimer pinning on the Si(0Â 0Â 1) surface](/preview/png/9594648.png)
چکیده انگلیسی
Room-temperature STM images frequently show regions of antisymmetric dimer ordering surrounding certain types of defect on the Si(0Â 0Â 1) surface. While it has been generally believed that any defect asymmetric with respect to the dimer row would induce this dimer pinning effect, recent experimental results have shown that this is not the case. We present a model, based on a nearest-neighbour Ising treatment of the surface, which allows the extent of pinning caused by a dimer to be predicted from ab initio calculations. We use this model to predict the pinning extent for three phosphorus-containing structures important in a proposed silicon-based quantum computer fabrication scheme, and identify one of these asymmetric features as causing no appreciable pinning. In addition, we use ab initio calculations to identify the effects governing the interaction between neighbouring dimers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 587, Issue 3, 10 August 2005, Pages 185-192
Journal: Surface Science - Volume 587, Issue 3, 10 August 2005, Pages 185-192
نویسندگان
H.F. Wilson, N.A. Marks, D.R. McKenzie,