کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594702 | 1507985 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Si nanostripe formation on vicinal Ge(1Â 0Â 0) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Kinetic growth modes of Si in the submonolayer regime on vicinal Ge(1 0 0) surfaces miscut by 2.7° and 5.4° towards the [0 1 1] direction were investigated using low energy electron diffraction (LEED) and photoelectron spectroscopy (XPS, UPS). At a Si coverage around 0.5 ML and temperatures between 470 and 600 K Si nanostripes separated by Ge nanostripes are formed due to preferential nucleation of Si adatoms on the (1 Ã 2)-reconstructed Ge(1 0 0) domains. At room temperature both Ge(1 0 0) domains are covered by pseudomorphic Si islands. The stability of the Ge-Si stripe structure is limited to 600 K above which alloy formation was found by photoelectron spectroscopy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 574, Issues 2â3, 10 January 2005, Pages 205-213
Journal: Surface Science - Volume 574, Issues 2â3, 10 January 2005, Pages 205-213
نویسندگان
C. Tegenkamp, H. Pfnür,