کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594796 | 1395905 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence measurements in Be-δ-doped back-gated quantum well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We measured the photoluminescence (PL) spectra of a two-dimensional electron system induced in a Be-δ-doped GaAs/AlGaAs quantum well (QW) with a back gate. The electron density is controlled by means of the back-gate voltage. We estimated the electron density using the magneto-optical method and the PL linewidth, and also by undertaking transport measurements. We show that a uniform 2DES as large as 1 mm2 is induced by the back-gate operation from 2.5 Ã 1010 cmâ2. This experiment indicates that optical measurement with a back-gated QW is advantageous for studying the low-density 2DES.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 583, Issue 1, 20 May 2005, Pages 94-99
Journal: Surface Science - Volume 583, Issue 1, 20 May 2005, Pages 94-99
نویسندگان
M. Yamaguchi, S. Nomura, D. Sato, T. Akazaki, H. Tamura, H. Takayanagi,