کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594852 | 1507977 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
STM and DFT study of the Gd wetting layer reconstructions on the Si(0Â 0Â 1)-2Â ÃÂ 1 surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a structural study of the 2Â ÃÂ 8 and 2Â ÃÂ 7 wetting layer reconstructions that occur on the Si(1Â 0Â 0) surface following Gadolinium deposition at elevated temperatures. Scanning tunneling microscopy and density functional theory calculations were used to analyze the detailed structure of the wetting layer. The maxima observed in STM images are consistent with the location of metal atoms determined by geometry optimized DFT calculations. In the 2Â ÃÂ 8 reconstruction metal atoms occupy the dimer positions but with a modulation in height that serves to lower the stress along the dimer row direction. The 2Â ÃÂ 7 reconstruction is formed by the redistribution of metal atoms of the 2Â ÃÂ 8 reconstruction, where the metal can occupy either the dimer position or a bridging site between two silicon atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 582, Issues 1â3, 10 May 2005, Pages 79-89
Journal: Surface Science - Volume 582, Issues 1â3, 10 May 2005, Pages 79-89
نویسندگان
B.C. Harrison, Peter Ryan, John J. Boland,