کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594957 | 1507965 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron-ion/atom coincidence measurements of 3Â keV He+ interacting with a SiH(1Â 0Â 0)-(2Â ÃÂ 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electron-ion/atom coincidence measurements of 3Â keV He+ interacting with a SiH(1Â 0Â 0)-(2Â ÃÂ 1) surface Electron-ion/atom coincidence measurements of 3Â keV He+ interacting with a SiH(1Â 0Â 0)-(2Â ÃÂ 1) surface](/preview/png/9594957.png)
چکیده انگلیسی
An electron-scattered ion/atom coincidence technique has been developed and applied to the interaction of 3Â keV He+ ions with a Si(1Â 0Â 0)-(2Â ÃÂ 1)-H surface. The technique extends scattering and recoiling imaging spectrometry (SARIS) to include electron-scattered particle coincidence methods. The distributions of the scattered projectiles (He0 and He+) on a position-sensitive detector in the range of large scattering angles and in coincidence with the emitted electrons have been measured. The results allow separation of the scattered atom or ion flux from different surface layers and their contributions to the total scattered flux.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 594, Issues 1â3, 1 December 2005, Pages 54-61
Journal: Surface Science - Volume 594, Issues 1â3, 1 December 2005, Pages 54-61
نویسندگان
T. Ito, I. Bolotin, R. Zhang, B. Makarenko, B. Bahrim, J.W. Rabalais,