کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9595123 | 1507983 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low energy electron diffraction of epitaxial growth of bismuth on Si(1Â 1Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The epitaxial growth of Bi on Si(1Â 1Â 1) studied by spot profile analyzing low energy electron diffraction shows for low coverage rotationally disordered Bi cluster with preferred orientations following the threefold symmetry of the Si substrate. With further deposition the Bi cluster coalesces and the surface orientation changes from the pseudo cubic Bi(1Â 1Â 0) surface orientation of the Bi cluster into the hexagonal Bi(1Â 1Â 1) surface of the resulting Bi film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 576, Issues 1â3, 10 February 2005, Pages 56-60
Journal: Surface Science - Volume 576, Issues 1â3, 10 February 2005, Pages 56-60
نویسندگان
M. Kammler, M. Horn-von Hoegen,