کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9595123 1507983 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low energy electron diffraction of epitaxial growth of bismuth on Si(1 1 1)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Low energy electron diffraction of epitaxial growth of bismuth on Si(1 1 1)
چکیده انگلیسی
The epitaxial growth of Bi on Si(1 1 1) studied by spot profile analyzing low energy electron diffraction shows for low coverage rotationally disordered Bi cluster with preferred orientations following the threefold symmetry of the Si substrate. With further deposition the Bi cluster coalesces and the surface orientation changes from the pseudo cubic Bi(1 1 0) surface orientation of the Bi cluster into the hexagonal Bi(1 1 1) surface of the resulting Bi film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 576, Issues 1–3, 10 February 2005, Pages 56-60
نویسندگان
, ,