کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9595694 | 1507981 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and electronic structure of holmium silicides by STM and STS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Solid phase epitaxy - Epitaxy فاز جامدSurface relaxation and reconstruction - آرامسازی و بازسازی سطحMetal–semiconductor interfaces - رابطهای نیمه هادی فلزیGrowth - رشدSilicides - سیلیکاتScanning tunneling spectroscopies - طیف سنجی تونل زنی اسکنLanthanides - لانتانیدهاScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The growth of holmium on the Si(1 1 1) surface in the sub-monolayer region was investigated using STM. Several metastable reconstructions, including 5 Ã 2 and (23Ã23)R30° were observed during the nucleation of the 1 Ã 1 2D rare earth (RE) silicide surface. The authors attempt to combine this data into a detailed picture of the development of the surface, and identify future directions for improving interface quality. Scanning tunnelling spectroscopy data were taken from the 1 Ã 1 surface, and compared with published theoretical and photoemission results from other 2D RE silicides.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 578, Issues 1â3, 10 March 2005, Pages 80-87
Journal: Surface Science - Volume 578, Issues 1â3, 10 March 2005, Pages 80-87
نویسندگان
E.W. Perkins, I.M. Scott, S.P. Tear,