کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672250 | 1450565 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Size effects on the DC characteristics and low frequency noise of double polysilicon NPN bipolar transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
DC and low frequency noise measurements have been carried out for double polysilicon NPN bipolar transistors. Our experiments have highlighted unexpected geometrical dependencies for the base saturation current density and low frequency noise. A model, taking into account a variation of the interfacial oxide thickness at the periphery of the emitter has been proposed and it has been successfully applied to the experimental results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 7â8, JulyâAugust 2005, Pages 1167-1173
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 7â8, JulyâAugust 2005, Pages 1167-1173
نویسندگان
Nicolas Valdaperez, Jean-Marc Routoure, Daniel Bloyet, Régis Carin, Serge Bardy,