کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672284 | 1450566 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evidence and modelling current dependence of defect generation probability and its impact on charge to breakdown
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work we present an experimental evidence of a current dependence of the defect generation probability driving to breakdown. Based on this observation we explain the power law dependence of the charge and the time to breakdown and show its limit on pmos inversion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 5â6, MayâJune 2005, Pages 841-844
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 5â6, MayâJune 2005, Pages 841-844
نویسندگان
G. Ribes, S. Bruyère, M. Denais, D. Roy, G. Ghibaudo,