کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9672284 1450566 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evidence and modelling current dependence of defect generation probability and its impact on charge to breakdown
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Evidence and modelling current dependence of defect generation probability and its impact on charge to breakdown
چکیده انگلیسی
In this work we present an experimental evidence of a current dependence of the defect generation probability driving to breakdown. Based on this observation we explain the power law dependence of the charge and the time to breakdown and show its limit on pmos inversion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 5–6, May–June 2005, Pages 841-844
نویسندگان
, , , , ,