کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672308 | 1450566 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of crystalline MOCVD SrTiO3 films on SiO2/Si(100)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
SrTiO3 thin films (STO), were deposited on Si(100) covered by 2 nm of SiO2, at different temperatures from 450 °C to 850 °C using liquid injection MOCVD, the bimetallic precursor being Sr2Ti2(OiPr)8(tmhd)4. The STO films were analysed by XRD, FTIR, SIMS and TEM. An amorphous layer was observed between STO and SiO2/Si. The nature and thickness of the interlayer were determined, as well as the most favourable conditions for a good quality crystalline STO film, and a reduced interlayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 5â6, MayâJune 2005, Pages 941-944
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 5â6, MayâJune 2005, Pages 941-944
نویسندگان
A. Sibai, S. Lhostis, Y. Rozier, O. Salicio, S. Amtablian, C. Dubois, J. Legrand, J.P. Sénateur, M. Audier, L. Hubert-Pfalzgraff, C. Dubourdieu, F. Ducroquet,