کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672309 | 1450566 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AVD® technology for deposition of next generation devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
One of the main challenges in semiconductor industry today is the problem that arises with the performance of Moore's Law, doubling every 18 months. For instance, the device shrinking of CMOS based devices calls for new material candidates to replace conventional dielectrics and electrodes. Here, an advanced technology called Atomic Vapour Deposition (AVD®) is presented, which combines the MOCVD advantages of high throughput with atomic layer control and excellent material properties. The discussion is based on high-k oxides and conductive materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 5â6, MayâJune 2005, Pages 945-948
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 5â6, MayâJune 2005, Pages 945-948
نویسندگان
U. Weber, M. Schumacher, J. Lindner, O. Boissière, P. Lehnen, S. Miedl, P.K. Baumann, G. Barbar, C. Lohe, T. McEntee,