کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9717426 | 1469572 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characteristics of Schottky diode based on composite organic semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Schottky barrier diode based on composite of polyaniline with polystyrene has been fabricated and characterized using indium as Schottky contact and platinum as an ohmic contact. Current-voltage (I-V) plots were non-linear and capacitance-voltage (C-V) plots were almost linear in reverse bias indicating rectification behavior. Various junction parameters were calculated from the temperature dependent I-V and C-V data and discussed. These results indicate that the composite materials have better mechanical strength and diode quality compare to that of pure polymer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Composites Science and Technology - Volume 65, Issues 3â4, March 2005, Pages 677-681
Journal: Composites Science and Technology - Volume 65, Issues 3â4, March 2005, Pages 677-681
نویسندگان
R.K. Gupta, R.A. Singh,