کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9774250 | 1508508 | 2005 | 53 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arsenic-rich GaAs(0â0â1) surface structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Arsenic-rich GaAs(0â0â1) surface structure Arsenic-rich GaAs(0â0â1) surface structure](/preview/png/9774250.png)
چکیده انگلیسی
This article discusses the past 40 years of research covering the equilibrium thermodynamic properties of the arsenic-rich GaAs(0â0â1) surface, which is the starting surface for producing the majority of optoelectronic devices worldwide. A coherent picture of the observed surface structures, theoretical calculations, and experimental results will be presented. The interplay in surface-free-energy-reduction between reconstruction transformation and roughening is now well understood for the GaAs(0â0â1) surface and will be discussed. The recent confirmations of the structural models for the (2Ã4) and c(4Ã4) reconstructions as well as the discovery of preroughening aid in this understanding.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science Reports - Volume 60, Issues 1â4, December 2005, Pages 1-53
Journal: Surface Science Reports - Volume 60, Issues 1â4, December 2005, Pages 1-53
نویسندگان
Vincent P. LaBella, Michael R. Krause, Zhao Ding, Paul M. Thibado,