کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9776264 | 1509483 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal structures and conductivities of new hydrogen-bonded system: CnDT-EDO-TTF and BzDT-EDO-TTF
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Hall Effect - اثر هالX-ray emission - انتشار اشعه ایکسTransport measurements - اندازه گیری های حمل و نقلMagnetotransport - حمل و نقل مغناطیسیOrganic conductors based on radical cation and/or anion salts - هادی های ارگانیک بر اساس کاتیون های رادیکال و / یا نمک های آنیونیConductivity - هدایتDiffraction and scattering - پراکندگی و پراکندگی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A new series of RDT-EDO-TTF [R = C5, C6, C7, C8; (cis-l,2-cycloalkylene-l,2-dithio)ethylenedioxytetrathiafulvalene and R = Bz; (benzodithio)ethylenedioxytetrathiafulvalene] donors containing cycloalkylene or benzene, and ethylenedioxy groups as a source of the steric hindrance and the intermolecular hydrogen bonds has been synthesized. The charge transfer (CT) salts, βâ³-(RDT-EDO-TTF)2(PF6)x (R = C5, C6, C7, C8, and Bz), have the similar βâ³-type donor arrangement due to the intermolecular hydrogen-bonded network (CHâ¦O) in the two-dimensional (2D) plane. The C6DT-EDO-TTF molecule containing the flexible cyclohexylene group affords the 2:1 salts, which shows the metallic behaviors down to 1.3 K with a variety of resistivities at room temperature, 3.0 Ã 10â3â¼5.0 Ã 10â2 ohm cm. On the other hand, the BzDT-EDO-TTF donor with the fixed functional benzo group gives the non-stoichiometry complexes, which exhibit the similar metallic behavior down to 1.3 K with the largest RRR = 40â¼115 among the RDT-EDO-TTF salts.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 154, Issues 1â3, 22 September 2005, Pages 261-264
Journal: Synthetic Metals - Volume 154, Issues 1â3, 22 September 2005, Pages 261-264
نویسندگان
H. Suzuki, S. Ichikawa, K. Yamashita, S. Kimura, H. Mori, Y. Nishio, K. Kajita,