کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9776491 | 1509486 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrochemical growth of poly(3-dodecylthiophene) into porous silicon layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Electrochemical growth of poly(3-dodecylthiophene) into mono or double layer of porous silicon used as working electrode is described. The polymer content may be optimized by adjustment of the current density even in a double layer with two different porosities leading to structures, such as active optical guides.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 150, Issue 3, 10 May 2005, Pages 255-258
Journal: Synthetic Metals - Volume 150, Issue 3, 10 May 2005, Pages 255-258
نویسندگان
N. Errien, G. Froyer, G. Louarn, P. Retho,