کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783172 | 1511870 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microwave dielectric properties and microstructures of MgTa2O6 ceramics with CuO addition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The effect of CuO addition on the microstructures and the microwave dielectric properties of MgTa2O6 ceramics has been investigated. It is found that low level-doping of CuO (up to 1 wt.%) can significantly improve the density of the specimens and their microwave dielectric properties. Tremendous sintering temperature reduction can be achieved due to the liquid phase effect of CuO addition observed by scanning electronic microscopy (SEM). The sintered samples exhibit excellent microwave dielectric properties, which depend upon the liquid phase and the sintering temperature. With 0.5 wt.% CuO addition, MgTa2O6 ceramic can be sintered at 1400 °C and possesses a dielectric constant (Ér) of 28, a Q Ã f value of 58000 GHz and a temperature coefficient of resonant frequency (Ïf) of 18 ppm/°C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 90, Issues 2â3, 15 April 2005, Pages 373-377
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 90, Issues 2â3, 15 April 2005, Pages 373-377
نویسندگان
Cheng-Liang Huang, Kuo-Hau Chiang, Chi-Yuen Huang,