کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783888 | 1512026 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New materials and device architectures for the end-of-roadmap CMOS nodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Conventional bulk CMOS scaling starts to fail. In order to prolong the life of Moore's laws, at least one technological booster (innovation) per node has to be introduced starting from the node 32Â nm on. This presents a big technological challenge for the semiconductor industry. On the other hand, accumulation of the boosters permits to retrieve healthy scaling down to sub-10Â nm gate lengths. This strategy even if technologically very challenging, is prospected to prolong the CMOS competitiveness till at least 2020.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 3-7
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 3-7
نویسندگان
Thomas Skotnicki, Frederic Boeuf, Robin Cerutti, Stephane Monfray, Claire Fenouillet-Beranger, Markus Muller, Arnaud Pouydebasque,