کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9783888 1512026 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New materials and device architectures for the end-of-roadmap CMOS nodes
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
New materials and device architectures for the end-of-roadmap CMOS nodes
چکیده انگلیسی
Conventional bulk CMOS scaling starts to fail. In order to prolong the life of Moore's laws, at least one technological booster (innovation) per node has to be introduced starting from the node 32 nm on. This presents a big technological challenge for the semiconductor industry. On the other hand, accumulation of the boosters permits to retrieve healthy scaling down to sub-10 nm gate lengths. This strategy even if technologically very challenging, is prospected to prolong the CMOS competitiveness till at least 2020.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124–125, 5 December 2005, Pages 3-7
نویسندگان
, , , , , , ,