کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783894 | 1512026 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scanning spreading resistance microscopy (SSRM) 2d carrier profiling for ultra-shallow junction characterization in deep-submicron technologies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work presents the recent progress in SSRM capabilities highlighting simultaneous performances in terms of sensitivity (<10%), spatial resolution (1-3Â nm), dopant gradient resolution (1-2Â nm/decade) and quantification accuracy (20-30%). The latter is illustrated through the analysis of different carrier profiling applications, i.e. the calibration of process simulations for a 90Â nm n-MOS technology, the determination of the impact of nitridation on the lateral diffusion in a 40Â nm n-MOS technology, the study of activation and diffusion problems in SPER-anneals of shallow implants, the observation of stress-induced diffusion mechanisms in the vicinity of shallow trench isolations (STI) and the study of diffusion and mobility mechanisms in SiGe MOS structures. Favorable comparisons with SCM and STM are also presented and do illustrate the unique capability of the SSRM technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 45-53
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 45-53
نویسندگان
P. Eyben, T. Janssens, W. Vandervorst,