کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783903 | 1512026 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SiGe virtual substrates growth up to 50% Ge concentration for Si/Ge dual channel epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have then used Si0.49Ge0.51 virtual substrates as templates for the growth of Si/Ge dual channels. Although some dislocations were observed, mainly in the silicon layer, we have demonstrated the growth feasibility of such highly mismatched heterostructures in RP-CVD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 113-117
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 113-117
نویسندگان
Y. Bogumilowicz, J.M. Hartmann, N. Cherkashin, A. Claverie, G. Rolland, T. Billon,