کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783932 | 1512026 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Boron diffusion in amorphous silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Boron diffusion in amorphous silicon Boron diffusion in amorphous silicon](/preview/png/9783932.png)
چکیده انگلیسی
We have investigated B diffusion in pre-amorphized silicon. In our experiments, the crystalline surface layer of silicon-on-insulator (SOI) substrates was completely amorphized by Ge ion implantation. Using SOI substrates in this fashion suppressed solid-phase-epitaxy regrowth, making it possible to investigate B diffusion in pre-amorphous silicon over a wider range of temperatures (500-650 °C) and times (5-1000 s) than has previously been reported. Diffusivities were determined with the aid of computational processes modeling. The results from this work demonstrate the B diffusion in a-Si is concentration dependent, exhibits a transient enhanced diffusion, and possesses an Arhennius behavior with activation energy of â¼2.1 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 245-248
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 245-248
نویسندگان
V.C. Venezia, R. Duffy, L. Pelaz, M.J.P. Hopstaken, G.C.J. Maas, T. Dao, Y. Tamminga, P. Graat,