کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783946 | 1512026 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Differential Hall profiling of ultra-shallow junctions in Si and SOI
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Differential Hall profiling of ultra-shallow junctions in Si and SOI Differential Hall profiling of ultra-shallow junctions in Si and SOI](/preview/png/9783946.png)
چکیده انگلیسی
Finally, we show how to optimise the technique parameters to overcome some of the inherent difficulties that are associated with DHM profiling such as layer removal uniformity, profile distortion due to surface states, and limited depth resolution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 305-309
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 305-309
نویسندگان
N.S. Bennett, A.J. Smith, B. Colombeau, R. Gwilliam, N.E.B. Cowern, B.J. Sealy,