کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783956 | 1512026 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Leakage current and deep levels in CoSi2 silicided junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Leakage current and deep levels in CoSi2 silicided junctions Leakage current and deep levels in CoSi2 silicided junctions](/preview/png/9783956.png)
چکیده انگلیسی
It is concluded that the shallow trench isolation (STI) induced stress and the cobalt silicide formation concur to produce a junction leakage current increase by creating a deep level in silicon located close to midgap. This level can possibly identified with a level ascribed to a point defect excess.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 349-353
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 349-353
نویسندگان
D. Codegoni, G.P. Carnevale, C. De Marco, I. Mica, M.L. Polignano,