کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783998 | 1512027 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly strained InGaAs oxide confined VCSELs emitting in 1.25 μm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Highly strained GaAs-based all-epitaxial oxide confined vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) emitting in 1.25 μm were fabricated. Compared with the designed cavity resonance, it was found that lasing wavelength blue shifted by 29 nm when the driving current was small. The observation of such oxide mode is attributed to the effective optical thickness shrinkage of the oxide layer, and large detuning between the gain peak and cavity resonance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 121, Issues 1â2, 25 July 2005, Pages 60-63
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 121, Issues 1â2, 25 July 2005, Pages 60-63
نویسندگان
S.J. Chang, H.C. Yu, Y.K. Su, I.L. Chen, T.D. Lee, C.M. Lu, C.H. Chiou, Z.H. Lee, H.P. Yang, C.P. Sung,