کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9784025 | 1512028 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New developments on FRAMs: [3D] structures and all-perovskite FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: New developments on FRAMs: [3D] structures and all-perovskite FETs New developments on FRAMs: [3D] structures and all-perovskite FETs](/preview/png/9784025.png)
چکیده انگلیسی
A discussion is presented of new directions in ferroelectric random access memories (FRAMs) and ferroelectric capacitors for dynamic random access memories (DRAMs), emphasizing [3D] structures and new materials, as well as ferroelectric gates and new mechanisms of domain wall motion in nano-scale geometries.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 120, Issues 1â3, 15 July 2005, Pages 6-12
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 120, Issues 1â3, 15 July 2005, Pages 6-12
نویسندگان
J.F. Scott,