کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9784127 | 1512029 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fluorine-free and fluorine containing MOCVD precursors for electronic oxides: a comparison
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fluorine-free and fluorine containing MOCVD precursors for electronic oxides: a comparison Fluorine-free and fluorine containing MOCVD precursors for electronic oxides: a comparison](/preview/png/9784127.png)
چکیده انگلیسی
Homogeneous films have been deposited on Pt/TiN/SiO2/Si substrates in the 300-500 °C temperature range. XRD and XPS analyses have shown that fluorine or carbonate containing films are obtained adopting Sr(hfac)2tetraglyme or Sr(dpm)2pmdeta, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 118, Issues 1â3, 25 April 2005, Pages 264-269
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 118, Issues 1â3, 25 April 2005, Pages 264-269
نویسندگان
C. Bedoya, G.G. Condorelli, A. Di Mauro, G. Anastasi, I.L. Fragalà , J.G. Lisoni, D. Wouters,