کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9793084 | 1513960 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Monte Carlo growth and in situ characterisation for AlxGa1âxAs heteroepitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Monte Carlo growth and in situ characterisation for AlxGa1âxAs heteroepitaxy Monte Carlo growth and in situ characterisation for AlxGa1âxAs heteroepitaxy](/preview/png/9793084.png)
چکیده انگلیسی
We present a kinetic Monte Carlo model describing the growth of AlxGa1âxAs heterostructure and including a local photoemission model with reflection high-energy electron diffraction (RHEED) intensity for comparison. The model assumes growth under As rich conditions typical for molecular beam epitaxy (MBE). We have examined the AlxGa1âxAs morphology with 0 ⩽ x ⩽ 1 and the growth of normal and inverted interface of AlAs-GaAs system. We show, as has been observed experimentally [J. Electrochem. Soc. 129 (1982) 824; J. Vac. Sci. Technol. B 4 (2) (1986) 590], a roughness AlxGa1âxAs front profile for high Al concentrations and a difference in the quality of the two AlAs-GaAs interfaces due to a lower diffusivity of Al atoms compared to Ga atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 33, Issues 1â3, April 2005, Pages 382-387
Journal: Computational Materials Science - Volume 33, Issues 1â3, April 2005, Pages 382-387
نویسندگان
N. Fazouan, E. Atmani, M. Djafari-Rouhani, A. Estève,