کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9796155 | 1514941 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dislocation modeling for the microelectronics industry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Dislocation modeling for the microelectronics industry Dislocation modeling for the microelectronics industry](/preview/png/9796155.png)
چکیده انگلیسی
We review the use of dislocation modeling as a practical tool in the development of semiconducting devices. Areas of application include calculation of single dislocation behavior in transistors and memory cells, large-scale simulations of relaxation in SiGe/Si and SiGe/SOI layer systems, and investigation of dislocation nucleation at stress concentrators. Current capabilities and case studies for each are reviewed, and areas where further progress is needed are identified.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: A - Volumes 400â401, 25 July 2005, Pages 435-438
Journal: Materials Science and Engineering: A - Volumes 400â401, 25 July 2005, Pages 435-438
نویسندگان
K.W. Schwarz, D. Chidambarrao,