کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9801365 | 1515481 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transport properties of C60 thin film FETs with a channel of several-hundred nanometers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Transport properties of C60 thin film FETs with a channel of several-hundred nanometers Transport properties of C60 thin film FETs with a channel of several-hundred nanometers](/preview/png/9801365.png)
چکیده انگلیسی
We report the transport properties of C60 thin film field-effect transistors (FETs) with a channel of several-hundred nanometers. Asymmetrical drain current ID versus source-drain voltage VDS characteristics were observed. This phenomenon could be explained in terms of the high contact-resistance between the C60 thin film and the source/drain electrodes. This device showed a current on/off ratio >105.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 6, Issue 5, July 2005, Pages 427-430
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 6, Issue 5, July 2005, Pages 427-430
نویسندگان
Yukitaka Matsuoka, Nobuhito Inami, Eiji Shikoh, Akihiko Fujiwara,