کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9801932 | 1515735 | 2005 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The so-called two dimensional metal-insulator transition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We provide a critical perspective on the collection of low-temperature transport phenomena in low-density 2D semiconductor systems often referred to as the 2D metal-insulator transition. We discuss the physical mechanisms underlying the anomalous behavior of the 2D effective metallic phase and the metal-insulator transition itself. We argue that a key feature of the 2D MIT physics is the long-range bare Coulombic disorder arising from the random distribution of charged impurities in the low-density 2D semiconductor structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 135, Issues 9â10, September 2005, Pages 579-590
Journal: Solid State Communications - Volume 135, Issues 9â10, September 2005, Pages 579-590
نویسندگان
S. Das Sarma, E.H. Hwang,