کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9801945 | 1515736 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transparent p-type ZnO films obtained by oxidation of sputter-deposited Zn3N2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Transparent p-type ZnO films obtained by oxidation of sputter-deposited Zn3N2 Transparent p-type ZnO films obtained by oxidation of sputter-deposited Zn3N2](/preview/png/9801945.png)
چکیده انگلیسی
We report on the fabrication of thin ZnO:N film by thermal oxidation of zinc nitride layers sputter-deposited on quartz, sapphire, GaN, and ZnO surfaces. Through optimising several crucial technological steps we have achieved p-type conductivity with the carrier concentration in mid 1017Â cmâ3 range and mobility of â¼10Â cm2/Vs. Rich photoluminescence spectra have been observed in the region corresponding to the fundamental energy gap region with peaks that can be related to acceptor bound exciton transitions. The transmittance of p-ZnO:N in the whole visible spectrum is â¼80%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 135, Issues 1â2, July 2005, Pages 11-15
Journal: Solid State Communications - Volume 135, Issues 1â2, July 2005, Pages 11-15
نویسندگان
E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Kossut, A. Barcz, R. Butkute, W. Dobrowolski, E. Dynowska, R. Jakiela, E. Przezdziecka, R. Lukasiewicz, M. Aleszkiewicz, P. Wojnar, E. Kowalczyk,