کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9817666 | 1518769 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The evolution of the morphology of Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The evolution of the morphology of Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO2 The evolution of the morphology of Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO2](/preview/png/9817666.png)
چکیده انگلیسی
Grazing incidence small angle X-ray scattering was applied to study the synthesis and growth of Ge quantum dots in Ge-implanted SiO2. Ge ion doses were up to 1017/cm2, and subsequent annealing temperatures up to Ta = 1000 °C. Results suggest that ordered and correlated Ge QDs can be achieved by high-dose implantation followed by medium-T annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 238, Issues 1â4, August 2005, Pages 272-275
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 238, Issues 1â4, August 2005, Pages 272-275
نویسندگان
U.V. Desnica, P. Dubcek, K. Salamon, I.D. Desnica-Frankovic, M. Buljan, S. Bernstorff, U. Serincan, R. Turan,