کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9817713 | 1518771 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra shallow P+/N junctions using plasma immersion ion implantation and laser annealing for sub 0.1 μm CMOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we show the implementation of the BF3 PIII associated with the LTP. Ions from BF3+ plasma have been implanted in 200 mm n-type silicon wafers with energies from 100 eV to 1 keV and doses from 3E14 to 5E15 at/cm2 using PULSION® (IBS PIII prototype). Then, wafers have been annealed using SOPRA VEL 15 XeCl excimer lasers (l = 308 nm, 200 ns, 15 J/pulse) with energy density from 1 to 2.5 J/cm2 and 1, 3 or 10 shots. The samples have been characterized at CEA LETI by secondary ion mass spectrometry (SIMS) combined with four points probe sheet resistance measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 18-24
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 18-24
نویسندگان
Frank Torregrosa, Cyrille Laviron, Frédéric Milesi, Miguel Hernandez, Hasna Faïk, Julien Venturini,